阻容耦合快速开启的可控硅静电防护器件
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摘要
本实用新型公开了一种阻容耦合快速开启的可控硅静电防护器件，包括P型衬底；P型衬底中设有N型埋层；N型埋层上方为第一N型深阱、第二N型深阱和P型衬底外延层P‑EPI；第二N型深阱上有N阱；P型衬底外延层P‑EPI上有第二P阱；第二P阱内设有第二P+注入区和内嵌N型MOS管，第N阱内设有横跨第二P阱与N阱的第二N+注入区、第三P+注入区与第三N+注入区；第一N型深阱、第二N型深阱、N阱与N型埋层构成N型隔离带；第一P+注入区、第二P+注入区、第四P+注入区和第一N+注入区连接在一起并作为器件的阴极，第三P+注入区与第三N+注入区Ⅱ连接在一起并作为器件的阳极。
基本信息
专利标题 ：
阻容耦合快速开启的可控硅静电防护器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020990579.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-02
授权号 ：
CN212517201U
授权日 ：
2021-02-09
发明人 ：
骆生辉魏伟鹏汪洋金湘亮董鹏
申请人 ：
湖南静芯微电子技术有限公司
申请人地址 ：
湖南省长沙市长沙经济技术开发区螺丝塘路德普企业公元6栋C座303
代理机构 ：
深圳市沈合专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
沈祖锋
优先权 ：
CN202020990579.1
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L29/06 H01L29/74 H01L29/749 H01L21/332 H01L21/8249
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2021-02-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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