静电防护结构及静电防护结构的制作方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供了一种静电防护结构及静电防护结构的制作方法。所述静电防护结构包括：第一二极管结构，所述第一二极管结构的第一端连接接地端，第二端连接信号端；第二二极管结构，与第一二极管结构相邻，所述第二二极管结构的第一端连接电源端，第二端连接信号端；所述第一二极管结构和/或所述第二二极管结构的击穿电压小于预设阈值。上述技术方案，通过对所述第一二极管结构或所述第二二极管结构进行掺杂，将在掺杂浓度较低且外加电压较高的的PN结中发生的雪崩击穿改变为在掺杂浓度较高的PN结中发生的齐纳击穿，从而提高集成电路输入输出端的静电放电防护能力。
基本信息
专利标题 ：
静电防护结构及静电防护结构的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334955A
申请号 ：
CN202210025304.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-01-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宋彬
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN202210025304.8
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L21/8222
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20220111
申请日 : 20220111
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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