半导体结构和静电防护的测试方法

授权

摘要

本发明实施例提供一种半导体结构和一种静电防护的测试方法，半导体结构包括：介质层，介质层具有正对的第一面和第二面；伪电连接层，伪电连接层位于第一面上；位于第一面上的电连接层，且电连接层与伪电连接层之间具有间隔；第一导电层，第一导电层位于第二面上，第一导电层与伪电连接层具有第一正对区域，且第一导电层、介质层与伪电连接层构成第一电容；第二导电层，第二导电层位于第二面上，第二导电层与电连接层具有第二正对区域，且第二导电层、介质层与伪电连接层构成第二电容，第二电容的电容量小于第一电容的电容量。本发明实施例有利于降低静电释放对电连接层的危害，以提高半导体结构的电学性能。

基本信息

专利标题：

半导体结构和静电防护的测试方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113078142A

申请号：

CN202110310166.3

公开（公告）日：

2021-07-06

申请日：

2021-03-23

授权号：

CN113078142B

授权日：

2022-05-31

发明人：

戴惠芳

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

代理机构：

上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

成丽杰

优先权：

CN202110310166.3

主分类号：

H01L23/64

IPC分类号：

H01L23/64 H01L21/66

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/58

其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置

H01L23/64

阻抗装置

法律状态

2022-05-31 ：

授权

2021-07-23 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 23/64
申请日 : 20210323

2021-07-06 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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