一种半导体静电测试装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体静电测试装置，包括上端连接有静电测试枪体和治具支座的底座，治具支座上端连接有治具支板，治具支板上开凿有多个放置孔，治具支座上开凿有多个与放置孔相对应的放置槽，且放置槽与放置孔相连通，放置槽中连接有金属片，且多个金属片之间连接有导线，治具支板上侧设有活动盖板，活动盖板下端连接有滑块，治具支板上端开凿有与滑块相匹配的固定板，活动盖板为L型盖板，固定板远离放置孔的内壁连接有拉伸弹簧。本实用新型结构简单，操作方便，可保持放置孔内侧的清洁，从而保证半导体的引脚与金属片之间的良好接触，此外，可保证半导体的引脚稳定接触金属片，提高测试效率和测试准确度。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体静电测试装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922346618.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-24
授权号 ：
CN211603437U
授权日 ：
2020-09-29
发明人 ：
范彩凤
申请人 ：
上海北臻电子科技有限公司
申请人地址 ：
上海市金山区枫泾镇环东一路65弄2号3541室
代理机构 ：
上海海贝律师事务所
代理人 ：
范海燕
优先权 ：
CN201922346618.4
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01R1/02 G01R1/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2020-09-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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