半导体电流测试装置
授权
摘要
本实用新型涉及的一种半导体电流测试装置，包括机板，所述机板上设置有输送流道，所述输送流道上沿输料方向依次设置有送料区域、测试区域以及缓冲区域，所述送料区域处设置有送料机构，所述送料机构用于将待测的产品依次送至测试区域中以备测试，所述测试区域处设置有电流测试机构和参数测试机构，所述电流测试机构和参数测试机构分别用于对进入测试区域内待测的产品进行电流测试和参数测试，所述缓冲区域处设置有缓冲机构，所述缓冲机构用于将已测的产品依次送至下一道工序中。本实用新型一种半导体电流测试装置具有减小测量误差、提高生产效率、节约生产成本的优点。
基本信息
专利标题 ：
半导体电流测试装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922151407.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-04
授权号 ：
CN211698060U
授权日 ：
2020-10-16
发明人 ：
陈伟徐勇叶建国韩宙
申请人 ：
江阴亨德拉科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市江阴市高新区澄山路609号
代理机构 ：
江阴市轻舟专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹键
优先权 ：
CN201922151407.5
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01R19/00 B65G47/88
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2020-10-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
