一种用于测试门极电流的功率半导体器件
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摘要
本实用新型公开了一种用于测试门极电流的功率半导体器件，包括功率半导体芯片和管壳，所述功率半导体芯片包括多个第一绝缘层和多个子门极环形电极，所述第一绝缘层将功率半导体芯片的门极公共金属区分割为多个子门极公共金属区，所述多个子门极公共金属区分别与多个子门极环形电极一一对应连接；所述管壳包括多个子门极接触环和多个子绝缘座内金属环，并均与所述多个子门极环形电极一一对应设置；所述管壳门极槽外侧的阴极铜块上设置有多个方形槽，所述多个方形槽中均设置有门极引出条，以分别引出相应子门极环形电极上的门极电流。上述功率半导体器件能够有效地引出对功率半导体芯片内部不同阴极条形区域的门极电流，从而达到测量的目的。
基本信息
专利标题 ：
一种用于测试门极电流的功率半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021616431.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-06
授权号 ：
CN213181737U
授权日 ：
2021-05-11
发明人 ：
赵彪周文鹏曾嵘余占清陈政宇刘佳鹏
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园1号
代理机构 ：
北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张陆军
优先权 ：
CN202021616431.8
主分类号 ：
G01R19/00
IPC分类号 ：
G01R19/00 H01L29/74 H01L29/423 H01L29/417
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R19/00
用于测量电流或电压或者用于指示其存在或符号的装置
法律状态
2021-05-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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