本发明的目的是提供可在晶片状态下进行半导体器件耐压试验的半导体测试装置及半导体测试方法。本发明涉及的半导体测试装置具有：工作台(1)，其载置晶片；加压壁(4)，其设置于探针板的与工作台相对的面之上，朝向工作台延伸且具有开口部；标记(11)，其设置于加压壁的与工作台相对的面即加压壁下表面；探针(5)，其设置于开口部内；气管(6)，其将空气送入开口部内；检测器(8)，其对探针的前端与标记之间的第1间隔进行检测；以及控制部，其基于第1间隔对晶片与加压壁下表面之间的第2间隔进行控制，在对晶片处的各芯片的电气特性进行测定时，控制部以第2间隔成为预先确定的间隔的方式进行控制，从气管将空气送入开口部内。