半导体存储装置及其测试方法

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摘要

一种半导体存储装置包括：响应于储存数据和预期数据来产生检测码的比较电路，响应于检测码来产生计数码的计数电路，响应于选择信号来将多个预期码中的一个预期码输出为选择码的选择码输出电路，以及多个信号储存电路。比较结果输出电路包括多个信号储存电路，该比较结果输出电路根据选择信号来将计数码与选择码之间的比较的比较结果储存在多个信号储存电路之中的一个信号储存电路中，以及响应于输出使能信号来将储存在多个信号储存电路之中的一个信号储存电路中的值输出为结果信号。

基本信息

专利标题：

半导体存储装置及其测试方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108694987A

申请号：

CN201810039753.1

公开（公告）日：

2018-10-23

申请日：

2018-01-16

授权号：

CN108694987B

授权日：

2022-05-24

发明人：

姜材锡

申请人：

爱思开海力士有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

李少丹

优先权：

CN201810039753.1

主分类号：

G11C29/42

IPC分类号：

G11C29/42 G11C29/44