半导体组件的测试方法
公开
摘要
本发明提供一种半导体组件的测试方法，主要步骤包括利用黄光制程制作一线路重布层于待测的半导体组件上，接着测试探针不直接接触待测的半导体组件，而是接触线路重布层以进行测试，最后以干、湿或机械研磨制程将此线路重布层移除。本发明可提高对半导体组件的测试速度，降低测试成本，且在测试完成后不在半导体组件上留下测试针痕。
基本信息
专利标题 ：
半导体组件的测试方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114624557A
申请号 ：
CN202110727802.2
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-06-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林世宏
申请人 ：
高端电子有限公司
申请人地址 ：
英属维尔京群岛，托特拉省，罗德城，布雷克大道，海碧大厦
代理机构 ：
北京北新智诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
朱丽华
优先权 ：
CN202110727802.2
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01R1/073 G01R31/28 H01L21/66
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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