测试半导体组件
公开
摘要
一种制造半导体封装的方法(400)包含：在模制化合物中覆盖半导体裸片及耦合到所述半导体裸片的多个导电端子(402)；将所述模制化合物定位在第一对电极与第二对电极之间(404)；及将所述第一对中的可移动电极及所述第二对中的可移动电极移动到第一夹持位置中(406)。在所述第一夹持位置中，所述第一对电极及所述第二对电极中的每一者电耦合到所述多个导电端子的唯一子集。所述方法还包含由所述第一对电极将第一电压施加到所述模制化合物内的所述半导体裸片(408)；及由所述第二对电极将第二电压施加到所述模制化合物内的所述半导体裸片(410)。所述第二电压小于所述第一电压。
基本信息
专利标题 ：
测试半导体组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114616658A
申请号 ：
CN202080075873.2
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-11-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
埃尼斯·通杰尔拜伦·哈里·吉布斯
申请人 ：
德州仪器公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
林斯凯
优先权 ：
CN202080075873.2
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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