半导体测试元件及半导体测试方法
实质审查的生效
摘要
本发明实施例涉及半导体测试元件及半导体测试方法。一种半导体测试元件，包含有：半导体衬底、第一内部互连结构、第二内部互连结构、连接金属层、重布层结构、第一端点以及第二端点。所述第一内部互连结构与所述第二内部互连结构设置于所述半导体衬底上，与所述半导体衬底电性隔离。所述连接金属层电性连接所述第一内部互连结构与所述第二内部互连结构，且与所述半导体衬底电性隔离。所述重布层结构与所述第一内部互连结构及所述第二内部互连结构电性连接。所述第一端点与所述第二端点通过所述重布层结构分别与所述第一内部互连结构及所述第二内部互连结构电性连接。
基本信息
专利标题 ：
半导体测试元件及半导体测试方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512415A
申请号 ：
CN202011285345.8
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2020-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈扬哲周维裕林振华陈启平林汉仲郑咏世王智麟曾皇文梁其翔刘醇明
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
李春秀
优先权 ：
CN202011285345.8
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20201117
申请日 : 20201117
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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