半导体器件、测试装置、以及测试方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要

本发明提供一种半导体器件,是测试设置在内部的被测配线的延迟时间的半导体器件。此半导体器件包括:循环路径,在路径上设置了被测配线;延迟元件,让输入信号只延迟规定时间;延迟选择部,用于切换是否在循环路径上连接延迟元件;循环延迟测试部,用于测量循环路径延迟时间;第1门延迟计算部,其从在循环路径上连接了延迟元件时的循环路径延迟时间,减去在循环路径上未连接延迟元件时的循环路径延迟时间,而计算出延迟元件的延迟时间;第2门延迟计算部,其基于延迟元件的延迟时间,而计算出在循环路径上连接的逻辑电路的延迟时间;以及,配线延迟计算部,用于计算被测配线的延迟时间。

基本信息
专利标题 :
半导体器件、测试装置、以及测试方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101099087A
申请号 :
CN200580045992.9
公开(公告)日 :
2008-01-02
申请日 :
2005-11-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
山崎真松村英宜
申请人 :
爱德万测试株式会社
申请人地址 :
日本东京
代理机构 :
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 :
寿宁
优先权 :
CN200580045992.9
主分类号 :
G01R31/317
IPC分类号 :
G01R31/317  H01L27/04  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/317
••数字电路的测试
法律状态
2010-08-11 :
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101003848660
IPC(主分类) : G01R 31/317
专利申请号 : 2005800459929
公开日 : 20080102
2008-02-27 :
实质审查的生效
2008-01-02 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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