半导体器件高阻失效的测试方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种半导体器件高阻失效的测试方法，包括：提供测试样品及其设计版图，将所述测试样品中可能存在高阻的路径设置为待测路径；根据所述设计版图找到所述待测路径的两个端点，并将所述待测路径接入一测试电路；以及，对所述待测路径进行电性测试，根据所述电性测试的测试结果判断所述待测路径是否存在高阻。本发明通过设置半导体器件的待测路径并对其进行电性测试，从而准确判断所述待测路径是否存在高阻失效，提高了测试效率。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件高阻失效的测试方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114355136A
申请号 ：
CN202111626353.9
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
段淑卿武城高金德
申请人 ：
上海华力微电子有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区良腾路6号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周耀君
优先权 ：
CN202111626353.9
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01R27/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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