一种掺杂碳化硅薄膜方阻测试方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种掺杂碳化硅薄膜表面制备电极实现掺杂碳化硅薄膜方阻测试方法，该方法通过在碳化硅薄膜表面形成独立的欧姆接触电极，探针通过电极测试薄膜的方阻，解决了掺杂碳化硅薄膜与金属探针难以形成欧姆接触的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种掺杂碳化硅薄膜方阻测试方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114280374A
申请号 ：
CN202111562838.6
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
盛况冉飞荣任娜王珩宇
申请人 ：
浙江大学杭州国际科创中心
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区建设三路733号
代理机构 ：
杭州裕阳联合专利代理有限公司
代理人 ：
高明翠
优先权 ：
CN202111562838.6
主分类号 ：
G01R27/08
IPC分类号 ：
G01R27/08 G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R27/00
测量电阻、电抗、阻抗或其派生特性的装置
G01R27/02
电阻、电抗、阻抗或其派生的其他两端特性，例如时间常数的实值或复值测量
G01R27/08
通过测量电流和电压来测量电阻
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 27/08
申请日 : 20211220
申请日 : 20211220
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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