一种碳化硅外延晶片掺杂浓度三轴型测试方法
授权
摘要
本发明属于半导体器件特性测量领域，公开了一种碳化硅外延晶片掺杂浓度三轴型测试方法。其中碳化硅外延晶片掺杂浓度三轴型测试方法的取样模型由3个夹角为120°的半径轴点阵组合而成，并基于三轴取样模型提出了片内和片间掺杂浓度的监控方法。片内掺杂浓度通过计算各半径轴与整体掺杂浓度的均值、不均匀性，绘制片内掺杂浓度分布mapping图进行监控；片间掺杂浓度通过控制图对同批次同一测试点的掺杂浓度进行监控。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅外延晶片掺杂浓度三轴型测试方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110783218A
申请号 ：
CN201911004688.X
公开（公告）日 ：
2020-02-11
申请日 ：
2019-10-22
授权号 ：
CN110783218B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
陈施施张新河温正欣叶怀宇张国旗
申请人 ：
深圳第三代半导体研究院
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼
代理机构 ：
北京中知法苑知识产权代理有限公司
代理人 ：
阎冬
优先权 ：
CN201911004688.X
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2020-03-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20191022
申请日 : 20191022
2020-02-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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