外延晶片的缺陷检查方法
公开
摘要
提供一种能够识别滑移位错缺陷和失配位错缺陷的外延晶片的检查方法。在外延晶片（WF）中存在包含滑移位错缺陷以及失配位错缺陷的位错缺陷（DF）时，利用晶片应力测定而求得前述外延晶片的残留应力，在前述残留应力为既定值（S0）以上时，判定为前述滑移位错缺陷，在前述残留应力小于前述既定值（S0）时，判定为前述失配位错缺陷。
基本信息
专利标题 ：
外延晶片的缺陷检查方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114624251A
申请号 ：
CN202111507360.7
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
木濑翔太
申请人 ：
胜高股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
李婷
优先权 ：
CN202111507360.7
主分类号 ：
G01N21/95
IPC分类号 ：
G01N21/95 G01N21/01 H01L21/66
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/84
专用于特殊应用的系统
G01N21/88
测试瑕疵、缺陷或污点的存在
G01N21/95
特征在于待测物品的材料或形状
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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