多层外延硅单结晶晶片制造方法及多层外延硅单结晶晶片
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摘要
一种多层外延硅单结晶晶片的制造方法，是制造多层外延硅单结晶晶片的方法，其至少先通过切克劳斯基法生成氮掺杂硅单结晶棒，将该硅单结晶棒切片并加工成硅单结晶晶片后，在该硅单结晶晶片的表层部上，形成第一层的外延层，之后，至少在该第一层的外延层的表层部上，形成第二层的外延层。因此，可以提供一种多层外延硅单结晶晶片的制造方法及多层外延硅单结晶晶片，没有滑移错位，可以应用在高电阻率的晶片和直径是300mm以上的晶片等。
基本信息
专利标题 ：
多层外延硅单结晶晶片制造方法及多层外延硅单结晶晶片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101128919A
申请号 ：
CN200680006121.0
公开（公告）日 ：
2008-02-20
申请日 ：
2006-02-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金谷晃一
申请人 ：
信越半导体股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈晨
优先权 ：
CN200680006121.0
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 H01L21/20
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2012-07-18 ：
授权
2008-04-16 ：
实质审查的生效
2008-02-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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