硅晶片的研磨方法及制造方法及圆盘状工作件的研磨装置及硅晶...
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摘要
一种硅晶片的研磨方法及制造方法、以及硅晶片，该硅晶片的研磨方法，是研磨在背面侧形成有氧化膜的硅晶片的方法，其中去除前述硅晶片斜角部的氧化膜的同时，以使氧化膜的厚度从该晶片背面的最外周部至少2毫米内侧起朝向外侧变薄的方式，来研磨该晶片的背面外周部的氧化膜。由此，提供一种硅晶片的研磨方法及制造方法、以及为了适合实施该方法的圆盘状工作件的研磨装置、及即使背面形成有氧化膜在操作处理后粒子亦不会附着在晶片表面上，亦不会有因自动掺杂而使电阻率下降的硅晶片，该硅晶片的研磨方法及制造方法可以防止操作处理后的粒子附着在晶片表面上，亦不会有因自动掺杂而使电阻率下降，更不会使生产率下降。
基本信息
专利标题 ：
硅晶片的研磨方法及制造方法及圆盘状工作件的研磨装置及硅晶片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101091238A
申请号 ：
CN200580045210.1
公开（公告）日 ：
2007-12-19
申请日 ：
2005-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
水岛一寿
申请人 ：
信越半导体股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 ：
高龙鑫
优先权 ：
CN200580045210.1
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2009-03-18 ：
授权
2008-02-13 ：
实质审查的生效
2007-12-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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