硅外延炉装置
授权
摘要

本实用新型提供了一种硅外延炉装置,所述硅外延炉装置包括壳体、石墨基座、保温隔热托盘、加热器、旋转结构以及转接件,所述壳体外周环设有冷却水结构,具有反应腔,所述壳体上设有进气孔、出气孔以及第一穿孔,所述石墨基座转动设置在所述反应腔内,所述保温隔热托盘位于所述石墨基座与所述壳体之间并与所述石墨基座间隔设置,所述加热器用于对所述石墨基座进行加热,所述旋转结构包括电机和旋转轴,所述电机位于所述反应腔外,所述旋转轴与所述电机输出轴相连并通过所述转接件连接所述石墨基座。本实用新型提供的硅外延炉装置可大幅降低能耗。

基本信息
专利标题 :
硅外延炉装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202220028150.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2022-01-06
授权号 :
CN216514254U
授权日 :
2022-05-13
发明人 :
高勇薛宏伟袁肇耿仇根忠吴子凡杜雷雨魏桂忠任永升
申请人 :
河北普兴电子科技股份有限公司
申请人地址 :
河北省石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号
代理机构 :
石家庄国为知识产权事务所
代理人 :
张一
优先权 :
CN202220028150.3
主分类号 :
C30B25/08
IPC分类号 :
C30B25/08  C30B29/06  C30B25/10  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/08
反应室;其所用材料的选择
法律状态
2022-05-13 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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