磷化镓液相外延装置
授权
摘要
一种磷化镓液相外延装置，设有中心通道15和端口通道18，进入反应区的工作气体均匀混合，掺杂舟16布置在中心通道15内，处于室温状态，掺杂时用磁铁推到副温区内汽化，由携带气体直接送到反应区。制成的磷化镓外延材料掺杂均匀，成品率可达到80％，发光效率提高一倍。
基本信息
专利标题 ：
磷化镓液相外延装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN88216049.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1988-11-07
授权号 ：
CN2044378U
授权日 ：
1989-09-13
发明人 ：
丁祖昌华伟民
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市玉泉
代理机构 ：
浙江大学专利代理事务所
代理人 ：
连寿金
优先权 ：
CN88216049.4
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20 C30B19/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
1990-05-09 ：
授权
1989-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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