钝化装置以及外延设备
授权
摘要
本实用新型提供了一种钝化装置和外延设备，所述装置包括：钝化气体输送通道，与反应腔连通，用于向所述反应腔内提供钝化气体；离子束发射组件，延伸至所述反应腔的内部，用于向所述反应腔内提供离子束，所述离子束用于离子化位于反应腔内壁的杂质，以使离子化后的杂质与所述钝化气体发生钝化反应。本实用新型提供的钝化装置可以抑制自掺杂效应。
基本信息
专利标题 ：
钝化装置以及外延设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920775913.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-27
授权号 ：
CN209947805U
授权日 ：
2020-01-14
发明人 ：
李国强林宗贤吴孝哲
申请人 ：
德淮半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宏婧
优先权 ：
CN201920775913.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 C23C16/44
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-01-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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