用于碳化硅外延设备的石墨快拆装置和碳化硅外延设备
授权
摘要
本申请提出一种用于碳化硅外延设备的石墨快拆装置和碳化硅外延设备，所述碳化硅外延设备内容纳有石墨组件，所述石墨组件包括上石墨件和下石墨件，其特征在于，所述石墨快拆装置包括：固定架圈，所述固定架圈为圆环状，所述固定架圈的内周部设置有卡槽；以及快拆架圈，所述快拆架圈为圆环状，所述快拆架圈位于所述固定架圈的径向内侧，所述快拆架圈的外周部设置有卡接部，所述快拆架圈用于支撑所述碳化硅外延设备内的所述下石墨件，其中，所述卡接部和所述卡槽对准时，所述快拆架圈能够穿过所述固定架圈的中心孔，所述卡接部和所述卡槽错开时，所述快拆架圈无法穿过所述固定架圈的中心孔，从而所述固定架圈能够支撑所述快拆架圈。
基本信息
专利标题 ：
用于碳化硅外延设备的石墨快拆装置和碳化硅外延设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220012029.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-01-05
授权号 ：
CN216473581U
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
卢勇蒲勇赵鹏
申请人 ：
材料科学姑苏实验室;芯三代半导体科技（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区若水路388号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202220012029.1
主分类号 ：
C30B29/36
IPC分类号 ：
C30B29/36 C30B35/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2022-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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