一种碳化硅外延反应室侧壁部件
授权
摘要
本实用新型涉及一种碳化硅外延反应室侧壁部件，包括分别安装于碳化硅外延反应室相对两侧壁上且镜像设置的两侧壁挡板，其特征在于：所述侧壁挡板由至少两拼接件沿前后方向拼接而成，每一拼接件的前端和/或后端上具有与相邻拼接件进行拼接的拼接部，且每一侧壁挡板的所有拼接件相互拼接后形成沿前后方向延伸、且连续的内壁面，已解决现有侧壁部件更换成本高的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅外延反应室侧壁部件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022031451.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-16
授权号 ：
CN213624470U
授权日 ：
2021-07-06
发明人 ：
李凯希冯淦赵建辉
申请人 ：
瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔星路96号建业楼B座一层
代理机构 ：
厦门市精诚新创知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄斌
优先权 ：
CN202022031451.5
主分类号 ：
C30B25/08
IPC分类号 ：
C30B25/08 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/08
反应室；其所用材料的选择
法律状态
2021-07-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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