一种碳化硅外延反应室源气进气过渡部件
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本实用新型公开了一种碳化硅外延反应室源气进气过渡部件,由于第一本体和第二本体相嵌合配合,由于淀积生长过程中会产生大量高温的附属物粉尘和颗粒吸附在源气进气过渡部件内,因此,当位于后端的第二本体淀积的粉尘和颗粒较厚时,可仅更换第二本体,使用更加方便且降低了成本;且,由于第一隔板和第二隔板可分别在第一本体和第二本体内活动,可根据实际需要随时调整第一隔板和第二隔板的位置进而调整第一通道和第二通道的流量以使工艺气体在进入反应室时可混合的更加均匀。同时,第一定位组件可定位第一隔板与第一本体,第二定位组件可定位第二隔板和第二本体,稳定性更好,第一隔板和第二隔板不会由于气流的大小进行晃动或移位。

基本信息
专利标题 :
一种碳化硅外延反应室源气进气过渡部件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022046710.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-17
授权号 :
CN213624472U
授权日 :
2021-07-06
发明人 :
李凯希张泽康冯淦赵建辉
申请人 :
瀚天天成电子科技(厦门)有限公司
申请人地址 :
福建省厦门市翔安区翔星路98号(火炬高新产业园育成中心)强业楼803室
代理机构 :
厦门市首创君合专利事务所有限公司
代理人 :
张松亭
优先权 :
CN202022046710.1
主分类号 :
C30B29/36
IPC分类号 :
C30B29/36  C30B25/14  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2022-04-12 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C30B 29/36
变更事项 : 专利权人
变更前 : 瀚天天成电子科技(厦门)有限公司
变更后 : 瀚天天成电子科技(厦门)有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 361000 福建省厦门市翔安区翔星路98号(火炬高新产业园育成中心)强业楼803室
变更后 : 361000 福建省厦门市厦门火炬高新区(翔交)产业区翔星路96号建业楼B座一层
2021-07-06 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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