一种长外延片的反应室结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种生长外延片的反应室结构，属于外延片技术领域，一种生长外延片的反应室结构，包括生长室和恒温机构，生长室外层包有保温室，恒温机构位于保温室外表面的一侧，恒温机构包括保温水箱，保温水箱的侧壁内侧设置有加热层，保温水箱的一侧设置有压力泵，压力泵的输出端连接与保温水箱贯通连接，压力泵输入端连接有呈循环回路的循环热量管，循环热量管的另一端贯通连接保温水箱，循环热量管包围所述保温室，保温水箱便于对水量的储存，通过设置的加热层，便于水流输送，保持生长室内温度的平衡，通过设置的循环热量管，便于对保温水箱内部的水进行加热，通过设置的压力泵，有利于对水流产生压力便于水流的压力输送和循环是输送。
基本信息
专利标题 ：
一种长外延片的反应室结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021344664.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-10
授权号 ：
CN212955441U
授权日 ：
2021-04-13
发明人 ：
白欣娇申硕袁凤坡李怀水尤立鹏张乾
申请人 ：
同辉电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
河北省石家庄市鹿泉区高新技术开发区昌盛大街21号
代理机构 ：
石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
刘陶铭
优先权 ：
CN202021344664.7
主分类号 ：
C30B25/08
IPC分类号 ：
C30B25/08 C30B25/10 C30B29/06 H01L21/67
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/08
反应室；其所用材料的选择
法律状态
2021-04-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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