一种用于气相外延反应腔结构的升降控温机构
授权
摘要
本实用新型涉及GaN制备相关技术领域，且公开了一种用于气相外延反应腔结构的升降控温机构，包括支撑基板、驱动机构和沉积基座，驱动机构的输出端与沉积基座的输入轴相连接，所述支撑基座的下方设置有定位轴承座和伺服电机，定位轴承座和伺服电机均安装在设备基座上，定位轴承座的轴承内圈安装有调节丝杆，调节丝杆上螺纹连接有滚珠螺母，滚珠螺母上环形阵列安装有垂直延伸杆，垂直延伸杆的末端与支撑基座的底部表面相连接。该用于气相外延反应腔结构的升降控温机构，区别于传统的沉积基座结构，可根据GaN晶体的生长速度来缓慢调节沉积基座的水平位置高度，从而保障GaN晶体在恒定温度环境下沉积生长，提高GaN晶体的生长质量。
基本信息
专利标题 ：
一种用于气相外延反应腔结构的升降控温机构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121653972.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-07-20
授权号 ：
CN216156018U
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
张海涛山本晓许彬
申请人 ：
无锡吴越半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区漓江路11号
代理机构 ：
北京华际知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘秀颖
优先权 ：
CN202121653972.2
主分类号 ：
C30B29/40
IPC分类号 ：
C30B29/40 C30B25/08 C30B25/16
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
法律状态
2022-04-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
