一种半导体气相外延反应管
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本实用新型公开了一种在上管壁周边设有水幕围栏的半导体气相外延反应管。在围栏的一侧端有出水口，出水口下方设有集水器。在进行外延反应的同时可在围栏内一端注入高纯水，另一端出水，使上管壁冷却，以此减少壁面沉淀，提高外延层质量。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体气相外延反应管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN90203696.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1990-03-30
授权号 ：
CN2063694U
授权日 ：
1990-10-10
发明人 ：
梁骏吾邓礼生杨辉郑红军
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
100083北京市海淀区清华东路
代理机构 ：
北京林业大学专利事务所
代理人 ：
卢纪
优先权 ：
CN90203696.3
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
1995-05-31 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-05-08 ：
授权
1990-10-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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