一种反应腔内表面保护装置、外延反应监控装置及方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及半导体制造领域,具体而言,涉及一种反应腔内表面保护装置、外延反应监控装置及方法,用于保护外延设备的反应腔的内表面,所述反应腔内表面保护装置包括:石墨纸、第一转轴和第二转轴,所述第一转轴和所述第二转轴分别安装在所述反应腔的进气端和出气端,所述石墨纸两端分别套接在所述第一转轴与所述第二转轴上,所述石墨纸在所述反应腔的内顶部具有水平段,且能在所述第一转轴以及所述第二转轴的转动作用下在所述反应腔的内顶部沿单一方向水平输送,通过在反应腔内表面设置保护装置,石墨纸持续工作带走石墨纸上的结晶,防止结晶掉落在衬底上,且无需对反应腔内表面频繁清洗。
基本信息
专利标题 :
一种反应腔内表面保护装置、外延反应监控装置及方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114507900A
申请号 :
CN202210205878.3
公开(公告)日 :
2022-05-17
申请日 :
2022-03-04
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
刘欣然黄吉裕王慧勇刘自然王鑫徐俊
申请人 :
季华实验室
申请人地址 :
广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号
代理机构 :
佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
许家裕
优先权 :
CN202210205878.3
主分类号 :
C30B25/08
IPC分类号 :
C30B25/08 C30B25/16 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/08
反应室;其所用材料的选择
法律状态
2022-06-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 25/08
申请日 : 20220304
申请日 : 20220304
2022-05-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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