抑制双极型退化的碳化硅薄膜外延方法、碳化硅外延片
实质审查的生效
摘要
本发明涉及半导体加工领域，公开了一种抑制双极型退化的碳化硅薄膜外延方法、碳化硅外延片，包括：提供碳化硅衬底，所述碳化硅衬底具有基平面位错；通过化学气相沉积法在所述碳化硅衬底表面形成碳化硅外延层，化学气相沉积法的反应气体包括生长气源和掺杂锗源气体，改变碳化硅外延薄膜中锗杂质的浓度，并促使所述锗杂质替代碳化硅外延层中形成的不全位错核心处硅原子，使锗杂质钉扎硅核心不全位错。本发明在碳化硅薄膜外延过程中掺入锗杂质，由于硅核心处的结构畸变，锗杂质会优先替代硅核心不全位错处的硅原子，通过将锗杂质钉扎基平面位错中硅核心不全位错，抑制硅核心不全位错的滑移，以抑制碳化硅基双极型器件的双极型退化。
基本信息
专利标题 ：
抑制双极型退化的碳化硅薄膜外延方法、碳化硅外延片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520143A
申请号 ：
CN202210413855.1
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2022-04-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王蓉皮孝东邵秦秦李佳君刘小平杨德仁
申请人 ：
浙江大学杭州国际科创中心
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区市心北路99号5楼
代理机构 ：
杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
姚宇吉
优先权 ：
CN202210413855.1
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20220420
申请日 : 20220420
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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