本发明提供一种提高碳化硅外延材料少数载流子寿命的方法，步骤包括：步骤一，将SiC衬底放置到反应室中，并抽真空；步骤二，将氢气通入反应室，通入碳源、硅源和掺杂源进行表面处理；步骤三，通入碳源、硅源和掺杂源通入反应室中进行缓冲层生长；步骤四，进行外延层生长和外延层掺杂；步骤五，第一阶段降温：关闭硅源和掺杂源，进行氢气氛退火处理，退火结束后关闭碳源；步骤六，第二阶段降温：进行氢气氛退火处理；步骤七，重复步骤六若干次直至达到温度要求；步骤八，降低到开腔温度，打开反应室取出碳化硅外延材料。本发明提供的方法工艺过程简单，适于工业化生产；最大限度地提高载流子寿命，且可避免长时间高温退火对材料表面的破坏。