基于低载流子寿命提高SOI横向功率器件耐压的结构
实质审查的生效
摘要
本发明提供基于低载流子寿命提高SOI横向功率器件耐压的结构，包括结构上面的源电极、栅电极、漏电极；源电极下面有p+、n+区域，p+区域用于消除寄生NPN晶体管效应，n+区域用于收集沟道流过来的电子；栅电极下面有双扩散形成的P阱，为n沟道；当栅电压大于阈值电压时，栅氧层下面形成电子层，器件导通；漏极下面为n+区域；栅电极、漏电极之间为漂移区，用于提高器件关断时的耐压；漂移区的下方为低载流子寿命层；低载流子寿命层下面是埋氧层，将漂移区和衬底作了电气隔离；埋氧层下面是P型衬底，器件底部为衬底电极。该发明广泛应用于高压SOI横向功率器件与集成电路；以较低的成本提高了SOI功率器件的耐压。
基本信息
专利标题 ：
基于低载流子寿命提高SOI横向功率器件耐压的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335151A
申请号 ：
CN202210026167.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-01-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
阳小明李天倩曹太强吴健李佰强杨志国
申请人 ：
西华大学
申请人地址 ：
四川省成都市郫都区红光大道9999号
代理机构 ：
成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王悦
优先权 ：
CN202210026167.X
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220111
申请日 : 20220111
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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