一种功率器件芯片耐压测试结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种功率器件芯片耐压测试结构，上述测试结构制作工艺和上述功率器件芯片制作工艺流程完全兼容，不使用额外的掩膜版；上述测试结构包括敏感区、第一引出端和第二引出端；上述敏感区是模拟和监控功率器件芯片ESD耐压性能的结构；上述第一引出端模拟功率器件芯片漏极，上述第二引出端模拟功率器件芯片源极。有益效果是可以测试MOSFET晶体管ESD器件耐压，全面监控制造过程中工艺变化。
基本信息
专利标题 ：
一种功率器件芯片耐压测试结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020332777.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-17
授权号 ：
CN211507573U
授权日 ：
2020-09-15
发明人 ：
陆怀谷
申请人 ：
深圳市谷峰电子有限公司;香港谷峰半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区49区河东商业城华创达文化科技产业园9栋（F座）2-6楼501
代理机构 ：
上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张宁展
优先权 ：
CN202020332777.9
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2020-09-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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