功率芯片快速测试基板
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种功率芯片快速测试基板，其测试基板包括：绝缘基板，所述绝缘基板的表面设置有若干个金属区域，且各个所述金属区域彼此隔离；一个所述金属区域上设置有焊接区，用于焊接待测芯片，且所述待测芯片通过打线的方式与其余的所述金属区域电性连接。该方案的测试效率更高，且能够适用不同类型、不同尺寸的功率芯片的测试，通用性更强。
基本信息
专利标题 ：
功率芯片快速测试基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334909A
申请号 ：
CN202111655633.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
程炜涛姚阳
申请人 ：
上海埃积半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区郭守敬路498号8幢19号楼3层
代理机构 ：
上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨用玲
优先权 ：
CN202111655633.2
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 G01R31/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/544
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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