功率芯片快速测试方法及系统
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种功率芯片快速测试方法及系统，其方法包括步骤：设计陶瓷覆铜板，所述陶瓷覆铜板具有若干个彼此绝缘的覆铜面；将待测芯片焊接在一个所述覆铜面上，并通过其余的所述覆铜面引出所述待测芯片的各个电极；根据测试需求对所述待测芯片进行静态、动态及耐量测试。该方案的测试效率更高，且能够适用不同类型、不同尺寸的功率芯片的测试，通用性更强。
基本信息
专利标题 ：
功率芯片快速测试方法及系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114325332A
申请号 ：
CN202111655634.7
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
程炜涛姚阳
申请人 ：
上海埃积半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区郭守敬路498号8幢19号楼3层
代理机构 ：
上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨用玲
优先权 ：
CN202111655634.7
主分类号 ：
G01R31/28
IPC分类号 ：
G01R31/28 H01L23/544
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/28
•电路的测试，例如用信号故障寻测器
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/28
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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