一种横向功率器件
授权
摘要
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种横向功率器件。本发明主要特征在于：漂移区表面的场板结构采用凸出形状，优化漂移区长度。正向导通时，栅结构与场板结构下方的漂移区表面产生连续的电子积累层，形成积累型输运模式，以降低器件比导通电阻；反向阻断时，场板结构中反偏的PN结承受耐压，且场板结构不仅能辅助耗尽漂移区以提高漂移区掺杂浓度而降低器件比导通电阻，还能调制横向电场分布以提高耐压。相对传统LDMOS，本发明实现高耐压的同时具有更低的比导通电阻。
基本信息
专利标题 ：
一种横向功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112909081A
申请号 ：
CN202110175348.4
公开（公告）日 ：
2021-06-04
申请日 ：
2021-02-09
授权号 ：
CN112909081B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
魏杰李杰戴恺纬马臻李聪聪罗小蓉
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新西区西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙一峰
优先权 ：
CN202110175348.4
主分类号 ：
H01L29/40
IPC分类号 ：
H01L29/40 H01L29/423 H01L29/78
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-06-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/40
申请日 : 20210209
申请日 : 20210209
2021-06-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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