一种双通道SiC横向LDMOS功率器件的制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种双通道SiC横向LDMOS功率器件的制造方法，在碳化硅衬底上形成阻挡层，并对所述阻挡层蚀刻形成通孔，进行离子注入，形成第二导电通道n1区；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对碳化硅衬底进行离子注入，形成漏极导电区；相同的方式形成第二导电通道n2区、隔离层；第一导电沟道n1区、源极重掺杂区和漏极重掺杂区；清除阻挡层，进行氧化或者淀积形成绝缘层；在绝缘层上刻蚀形成通孔，并淀积源极金属层、漏极金属层和栅极金属层，利用了器件纵向的空间构建两路电流通路，来提高器件的电流密度，降低导通电阻。
基本信息
专利标题 ：
一种双通道SiC横向LDMOS功率器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512535A
申请号 ：
CN202210401125.X
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-04-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李昀佶张长沙何佳张瑜洁
申请人 ：
泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B区1号楼106A、113A、115A、117A、119A、121A
代理机构 ：
福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
王牌
优先权 ：
CN202210401125.X
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/16 H01L21/336 H01L29/78
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220418
申请日 : 20220418
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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