具有栅场板结构的横向功率器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种具有栅场板结构的横向功率器件及其制备方法，所述横向功率器件包括：衬底，所述衬底沿横向方向包括沟道区和第二导电类型的漂移区；平面场板结构，设置于所述漂移区上，所述平面场板结构包括高温氧化物层；栅结构，所述栅结构包括邻接所述平面场板结构而设置于所述衬底上的栅介质层和覆盖所述平面场板结构一部分的栅电极层，所述平面场板结构的底面不低于所述栅介质层的底面。本发明提供的具有栅场板结构的横向功率器件包括高温氧化物层，其底面不低于栅介质层的底面，且具有平缓的剖面，有利于场板覆盖区域内获得电势分布的平缓变化。
基本信息
专利标题 ：
具有栅场板结构的横向功率器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429985A
申请号 ：
CN202210357476.5
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2022-04-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
于绍欣高沛雄赵晓龙
申请人 ：
广州粤芯半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
罗泳文
优先权 ：
CN202210357476.5
主分类号 ：
H01L29/40
IPC分类号 ：
H01L29/40 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/40
申请日 : 20220407
申请日 : 20220407
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
