氮化镓功率器件结构

授权

摘要

本实用新型涉及一种氮化镓功率器件结构，它包括衬底、成核层、第一GaN外沿层、插入层、第二GaN外沿层、AlGaN势垒层、栅极插入层、p型GaN栅极、保护层、散热层、源极金属、栅极金属与漏极金属，在AlGaN势垒层的上表面中部开设有势垒层凹陷，在栅极插入层的下表面设有栅极插入层凸起，栅极插入层凸起嵌入势垒层凹槽内并填满势垒层凹陷，在保护层的上表面开设有保护层凹陷，在散热层的下表面设有散热层凸起，散热层凸起嵌入保护层凹陷内并填满保护层凹陷。本实用新型有效地避免了电流崩塌效应，极大地增加了散热面积和通道，提升了器件的散热性能，因此器件的可靠性得到进一步提升。

基本信息

专利标题：

氮化镓功率器件结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021048331.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-10

授权号：

CN212257404U

授权日：

2020-12-29

发明人：

贺洁王书昶黄飞明励晔

申请人：

无锡硅动力微电子股份有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市新吴区珠江路51号

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)

代理人：

曹祖良

优先权：

CN202021048331.X

主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L29/778 H01L29/423 H01L23/367 H01L21/335