一种具有多场板结构的氮化镓功率器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种具有多场板结构的氮化镓功率器件，由下而上依次设置有：衬底、成核层、缓冲层、第一插入层、第一GaN层、第二插入层、第二GaN层、AlGaN势垒层、钝化层、栅极场板、漏极场板、保护层、栅极插入层、p型GaN栅极、栅极金属、源极金属、漏极金属，位于AlGaN势垒层表面的钝化层呈间隔排列的条状，栅极场板和漏极场板分别覆盖部分钝化层且两者表面及两者之间由保护层覆盖。本实用新型使电场分布更加均匀，器件耐压能力增强，有效提高器件的栅极开启电压及栅极电压的稳定性，有效降低器件在大电流作用下的漏电。
基本信息
专利标题 ：
一种具有多场板结构的氮化镓功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020219281.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-27
授权号 ：
CN211858659U
授权日 ：
2020-11-03
发明人 ：
王书昶穆久涛冯源况亚伟张惠国
申请人 ：
常熟理工学院
申请人地址 ：
江苏省苏州市常熟市南三环路99号
代理机构 ：
南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
张俊范
优先权 ：
CN202020219281.0
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/06 H01L29/15 H01L29/40 H01L29/423 H01L21/335
法律状态
2020-11-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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