一种氮化镓MISHEMT功率器件的结构

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种氮化镓MISHEMT功率器件的结构，包括从下至上依次结合在一起的硅基层、氮化镓电路层、氮化镓势垒层、氮化硅介质层，还有高阻区、钛铝合金欧姆沟道、镍/金导电区、第一氮化硅穿透涂层、第一钛/金导电涂层、第二氮化硅穿透涂层、第二钛/金导电涂层、第三氮化硅穿透涂层、源极、栅极、漏极；所述硅基层由低阻硅材料制成；所述氮化镓电路层是外延层；所述的氮化镓MISHEMT功率器件是N型二维电子气沟道，硅基金属氧化物栅极接触高电子迁移率晶体管。该结构的氮化镓MISHEMT功率器件抗辐照能力高，在关态时的泄漏电流低，静态功耗低，辐照情况的失效概率低，承受的击穿电压高。

基本信息

专利标题：

一种氮化镓MISHEMT功率器件的结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920553600.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-04-23

授权号：

CN211017079U

授权日：

2020-07-14

发明人：

窦祥峰

申请人：

窦祥峰

申请人地址：

北京市昌平区回龙观镇万润家园1号楼2单元901号

代理机构：

北京市京师律师事务所

代理人：

高晓丽

优先权：

CN201920553600.9

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/417 H01L29/45 H01L23/29 H01L23/31 H01L29/778

法律状态

2022-04-05 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20190423
授权公告日 : 20200714
终止日期 : 20210423

2021-06-15 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/06
登记生效日 : 20210603
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 窦祥峰
变更后权利人 : 北京龙创润芯科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100096 北京市昌平区回龙观镇万润家园1号楼2单元901号
变更后权利人 : 100000 北京市海淀区西二旗大街39号二层202-09

2020-07-14 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载