具有氮化硅阻挡层的SGT器件及制备方法
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摘要
本发明提供一种具有氮化硅阻挡层的SGT器件及制备方法，包括从下至上依次层叠设置的金属化漏极、N+衬底、N‑漂移区和金属化源极；N‑漂移区中具有沟槽栅结构、P型掺杂区、P+重掺杂区和N+重掺杂区；沟槽栅结构包括氧化层、控制栅电极、氮化硅阻挡层和屏蔽栅电极；当器件正向导通时，控制栅电极接正电位，金属化漏极接正电位，金属化源极接零电位；当器件反向阻断时，控制栅电极和金属化源极短接且接零电位，金属化漏极接正电位；本发明具有较大的正向电流、较小的阈值电压、较小的导通电阻等特性，并且有效解决了SGT击穿电压不稳定的可靠性问题。
基本信息
专利标题 ：
具有氮化硅阻挡层的SGT器件及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113224148A
申请号 ：
CN202110477496.1
公开（公告）日 ：
2021-08-06
申请日 ：
2021-04-29
授权号 ：
CN113224148B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
李泽宏莫家宁王彤阳叶俊肖璇
申请人 ：
电子科技大学;无锡华润华晶微电子有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
敖欢
优先权 ：
CN202110477496.1
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2021-08-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/423
申请日 : 20210429
申请日 : 20210429
2021-08-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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