一种具有双电子阻挡层的深紫外发光器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
一种具有双电子阻挡层的深紫外发光器件及其制备方法，属于发光二极管的制备技术领域，该深紫外发光器件，包括由下而上设置的电子注入层、多量子阱层和空穴注入层，电子注入层和多量子阱层之间设置有铝组分呈梯度渐变的第一电子阻挡层，空穴注入层和多量子阱层之间设置有铝组分呈尖峰式渐变的第二电子阻挡层，本发明的有益效果是，本发明通过改进器件结构和电子阻挡层结构，有效解决了电子溢流效应，增加了向多量子阱层中注入的空穴数量，削弱了能带弯曲现象，提升了器件的发光质量。
基本信息
专利标题 ：
一种具有双电子阻挡层的深紫外发光器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361308A
申请号 ：
CN202111683645.6
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭泽昊胡新星赵海明仇成功左万胜袁松钮应喜
申请人 ：
芜湖启迪半导体有限公司
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803
代理机构 ：
芜湖安汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
孟迪
优先权 ：
CN202111683645.6
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/00
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/14
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
