一种采用新型电子阻挡层的紫外发光器件
授权
摘要
本实用新型提供了一种采用新型电子阻挡层的紫外发光器件，涉及半导体技术领域。所述紫外发光器件包括衬底和在所述衬底上依次生长的低温缓冲层、高温层、n型AlmGa1‑mN层、发光有源区、p型复合电子阻挡层、p型AlnGa1‑nN层和接触层；其中，所述p型复合电子阻挡层包括沿生长方向依次形成的p型L1层和p型L2层。紫外发光器件能够有效地增加电子限制效果、增强空穴注入效率，以及载流子注入时的电流扩展能力，从而提高紫外发光二极管的在量子阱中的辐射复合速率，改善器件的发光效率。
基本信息
专利标题 ：
一种采用新型电子阻挡层的紫外发光器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922133639.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-02
授权号 ：
CN211350680U
授权日 ：
2020-08-25
发明人 ：
贺龙飞赵维张康何晨光吴华龙刘云洲王巧陈志涛
申请人 ：
广东省半导体产业技术研究院
申请人地址 ：
广东省广州市天河区长兴路363号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
赖俊科
优先权 ：
CN201922133639.8
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/00
法律状态
2020-08-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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