异质结构以及采用异质结构的发光器件
授权
摘要
本申请提供了包含一个或多个正电荷薄层或包含具有特定厚度的交替堆叠的AlGaN势垒和AlGaN势阱的异质结构。还提供了多量子阱结构和p型接触。所述异质结构、多量子阱结构和p型接触可用于发光器件和光电探测器。
基本信息
专利标题 ：
异质结构以及采用异质结构的发光器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113707775A
申请号 ：
CN202110997526.1
公开（公告）日 ：
2021-11-26
申请日 ：
2020-02-12
授权号 ：
CN113707775B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
张剑平高英周瓴
申请人 ：
博尔博公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州圣何塞市墨菲大街1172号237室
代理机构 ：
青岛清泰联信知识产权代理有限公司
代理人 ：
栾瑜
优先权 ：
CN202110997526.1
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/32 H01L31/109 H01L31/0352 H01L31/0304
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法律状态
2022-06-03 ：
授权
2021-12-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20200212
申请日 : 20200212
2021-11-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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