发光器件
专利权的终止
摘要
根据本发明的发光器件具有：GaN衬底(1)；GaN衬底(1)的第一主表面侧上的n型AlxGa1－xN层(3)；比n型AlxGa1－xN层(3)更远离GaN衬底(1)设置的p型AlxGa1－xN层(5)；以及位于n型AlxGa1－xN层(3)和p型AlxGa1－xN层(5)之间的多量子阱(MQW)(4)。在该发光器件中，p型AlxGa1－xN层(5)侧被向下安装，并且光从第二主表面(1a)发射，其中第二主表面是与GaN衬底(1)的第一主表面相对的主表面。GaN衬底(1)的第二主表面(1a)包括其上形成凹腔和凸出的区域。此外，该发光器件包括在GaN衬底(1)的第二主表面(1a)上形成的n电极(11)和覆盖n电极(11)的侧壁而形成的保护膜(30)。
基本信息
专利标题 ：
发光器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1881628A
申请号 ：
CN200610009238.6
公开（公告）日 ：
2006-12-20
申请日 ：
2006-02-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
永井阳一片山浩二北林弘之
申请人 ：
住友电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
陆锦华
优先权 ：
CN200610009238.6
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
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法律状态
2018-03-06 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20060215
授权公告日 : 20091021
终止日期 : 20170215
申请日 : 20060215
授权公告日 : 20091021
终止日期 : 20170215
2009-10-21 ：
授权
2008-07-23 ：
实质审查的生效
2006-12-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN100552989C.PDF
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2、
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