制备分布式阻挡层的方法及其分布式阻挡层
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种制备分布式阻挡层的方法和分布式阻挡层，在电感耦合等离子体增强化学气相沉积的反应腔室内的衬底上由下至上依次沉积第一膜层、第二膜层和第一膜层，在依次沉积每个所述膜层之前分别通入NH3与N2的混合气体进行等离子体处理。根据本发明实施例的制备分布式阻挡层的方法，通过在衬底上制备出分布式阻挡层，可以有效地阻挡水汽和氧气，而且通过通入NH3与N2的混合气体进行等离子体处理可以提高分布式阻挡层和衬底之间、以及各个膜层之间的粘附性和致密性，进而提高水汽和氧气的阻挡性及光学稳定性。
基本信息
专利标题 ：
制备分布式阻挡层的方法及其分布式阻挡层
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114411121A
申请号 ：
CN202111514671.6
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邹荣园朱鹏飞刘朋飞吕先峰崔虎山石小丽许开东
申请人 ：
江苏鲁汶仪器有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市邳州经济开发区辽河西路8号
代理机构 ：
深圳市广诺专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈启绪
优先权 ：
CN202111514671.6
主分类号 ：
C23C16/50
IPC分类号 ：
C23C16/50 C23C16/505 C23C16/40 C23C16/34 C23C16/02 C23C16/46 H01L51/40 H01L51/48 H01L51/56 H01L51/10 H01L51/44 H01L51/52
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/50
申请日 : 20211213
申请日 : 20211213
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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