一种Cu互连用扩散阻挡层及其制备方法和应用
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摘要
本发明公开了一种Cu互连用扩散阻挡层及其制备方法和应用，通过在ZrB2薄膜中掺入不同含量的Ru原子，改变了薄膜的晶体结构，消除了Cu原子的快速扩散通道，延长扩散路径，提高了扩散阻挡层的高温稳定性能。此外，金属Ru具有较低的电阻率，且在扩散阻挡层中以单质金属形式存在，可以提高Zr‑Ru‑B的导电性能，Ru原子相比Zr原子，不容易氧化，因此，减少了O元素的掺入，通过高温退火处理，Cu膜表面出现大量孔洞，生成铜硅高阻相，且样品表面对电子的散射作用增强，得到的Zr‑Ru‑B三元结构具有较好的高温稳定性，提高了扩散阻挡层的扩散阻挡性能，进而提高了Cu互连线的可靠性，从而提高了集成电路的寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种Cu互连用扩散阻挡层及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110911352A
申请号 ：
CN201911229887.0
公开（公告）日 ：
2020-03-24
申请日 ：
2019-12-04
授权号 ：
CN110911352B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
孟瑜宋忠孝李雁淮
申请人 ：
西安文理学院
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区科技六路1号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
李晓晓
优先权 ：
CN201911229887.0
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/532 H01L21/3115
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2020-04-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20191204
申请日 : 20191204
2020-03-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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