稀土扩散磁体的制备方法及稀土扩散磁体
授权
摘要
本发明公开一种稀土扩散磁体的制备方法及稀土扩散磁体。稀土扩散磁体的制备方法包括步骤:对基体进行溅射,溅射第一靶材,在基体的表面形成第一镀层,第一靶材的组成成分按质量百分比为:RHx‑RLy‑Mz,其中,RH为Dy、Tb或Ho中的一种或多种,RH至少包含Dy或Tb中一种,RL为Nd、Pr、Ce、La、Y中的一种或多种,RL至少包含Nd或Pr中的一种,M为Co、Cu、Ga、Ag、Sn或Al中的至少一种元素,y为22~28wt%,z为0~20wt%,x为(100‑y‑z)wt%,基体为稀土磁体;对溅射后的基体进行扩散处理,获得稀土扩散磁体。本发明制备的稀土扩散磁体耐腐蚀性明显提高。
基本信息
专利标题 :
稀土扩散磁体的制备方法及稀土扩散磁体
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111524670A
申请号 :
CN202010077660.5
公开(公告)日 :
2020-08-11
申请日 :
2020-01-31
授权号 :
CN111524670B
授权日 :
2022-04-12
发明人 :
李志学董广乐李绍芳
申请人 :
天津三环乐喜新材料有限公司;北京中科三环高技术股份有限公司
申请人地址 :
天津市滨海新区经济技术开发区洪泽路22号
代理机构 :
北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
刘兴
优先权 :
CN202010077660.5
主分类号 :
H01F1/057
IPC分类号 :
H01F1/057 H01F41/02 C23C14/34 C23C14/58 C22C28/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体;电感;变压器;磁性材料的选择
H01F1/00
注意C部类名后的附注3,该附注指出了IPC中所参考的化学元素周期表版本。在本组中,所用的周期系统是在周期表中用罗马数字标注的八族系统。
H01F1/01
无机材料的
H01F1/03
按其矫顽力区分的
H01F1/032
硬磁材料的
H01F1/04
金属或合金
H01F1/047
按其成分区分的合金
H01F1/053
含稀土金属的
H01F1/055
和磁性过渡金属的,如SmCo5
H01F1/057
和Ⅲa族元素,如Nd2Fe14B
法律状态
2022-04-12 :
授权
2022-03-25 :
著录事项变更
IPC(主分类) : H01F 1/057
变更事项 : 申请人
变更前 : 北京中科三环高技术股份有限公司
变更后 : 天津三环乐喜新材料有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100190 北京市海淀区中关村东路66号甲1号长城大厦27层
变更后 : 300457 天津市滨海新区经济技术开发区洪泽路22号
变更事项 : 申请人
变更前 : 天津三环乐喜新材料有限公司
变更后 : 北京中科三环高技术股份有限公司
变更事项 : 申请人
变更前 : 北京中科三环高技术股份有限公司
变更后 : 天津三环乐喜新材料有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100190 北京市海淀区中关村东路66号甲1号长城大厦27层
变更后 : 300457 天津市滨海新区经济技术开发区洪泽路22号
变更事项 : 申请人
变更前 : 天津三环乐喜新材料有限公司
变更后 : 北京中科三环高技术股份有限公司
2021-02-23 :
著录事项变更
IPC(主分类) : H01F 1/057
变更事项 : 申请人
变更前 : 天津三环乐喜新材料有限公司
变更后 : 北京中科三环高技术股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 300457 天津市滨海新区经济技术开发区洪泽路22号
变更后 : 100190 北京市海淀区中关村东路66号甲1号长城大厦27层
变更事项 : 申请人
变更前 : 北京中科三环高技术股份有限公司
变更后 : 天津三环乐喜新材料有限公司
变更事项 : 申请人
变更前 : 天津三环乐喜新材料有限公司
变更后 : 北京中科三环高技术股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 300457 天津市滨海新区经济技术开发区洪泽路22号
变更后 : 100190 北京市海淀区中关村东路66号甲1号长城大厦27层
变更事项 : 申请人
变更前 : 北京中科三环高技术股份有限公司
变更后 : 天津三环乐喜新材料有限公司
2020-09-11 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01F 1/057
申请日 : 20200131
申请日 : 20200131
2020-08-11 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN111524670A.PDF
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