稀土磁体及其制造方法

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摘要

本发明涉及稀土磁体及其制造方法。在使用Zn粉末将SmFeN粉末的粒子结合的稀土磁体中通过抑制在磁场为0附近发生急折从而提供剩余磁通密度Br高的稀土磁体及其制造方法。稀土磁体及其制造方法，所述稀土磁体具备：主相，所述主相含有Sm、Fe和N，至少一部分具有Th₂Zn₁₇型或Th₂Ni₁₇型的晶体结构；副相，所述副相含有Zn和Fe，存在于所述主相的周围；中间相，所述中间相含有Sm、Fe和N以及Zn，存在于所述主相与所述副相之间，相对于所述副相整体，所述副相的Fe的平均含量为33原子％以下。

基本信息

专利标题：

稀土磁体及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110942880A

申请号：

CN201910884812.X

公开（公告）日：

2020-03-31

申请日：

2019-09-19

授权号：

CN110942880B

授权日：

2022-04-08

发明人：

佐久间纪次庄司哲也木下昭人芳贺一昭一期崎大辅高田幸生杉本谕松浦昌志

申请人：

丰田自动车株式会社;国立大学法人东北大学

申请人地址：

日本爱知县

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

李英

优先权：

CN201910884812.X

主分类号：

H01F1/059

IPC分类号：

H01F1/059 H01F41/02 B22F1/02 B22F1/00 B22F3/24