一种氮化硅光栅耦合器及其制备方法、光器件
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种氮化硅光栅耦合器及其制备方法、光器件，涉及光器件技术领域，用于提供一种采用低压化学气相淀积法与等离子体增强化学气相沉积相结合的方式有效提升光纤与光芯片的耦合效率的技术方案。氮化硅光栅耦合器包括：衬底；形成在衬底上的包层；形成在包层中的光栅耦合器；其中，光栅耦合器包括自下而上间隔设置的第一氮化硅光栅耦合层和第二氮化硅光栅耦合层，第一氮化硅光栅耦合层与第二氮化硅光栅耦合层之间形成有包层；其中，第一氮化硅光栅耦合层采用低压化学气相淀积法形成，第二氮化硅光栅耦合层采用等离子体增强化学气相沉积法形成。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化硅光栅耦合器及其制备方法、光器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114488394A
申请号 ：
CN202210089673.3
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李彬李志华谢玲杨妍李东浩唐波张鹏刘若男
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京知迪知识产权代理有限公司
代理人 ：
王胜利
优先权 ：
CN202210089673.3
主分类号 ：
G02B6/12
IPC分类号 ：
G02B6/12 G02B6/132 G02B6/124
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导；包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/10
光波导式的
G02B6/12
集成光路类型
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02B 6/12
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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